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经营模式: | 生产加工 |
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赵艳 女士
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公司地址: | 北京市海淀区上地东路25号3层8单元319 |
发布时间:2020-01-02 03:07:23
高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原,高纯钯,再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶,可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。 锗单晶可作晶体管,是一代晶体管材料。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数,对红外线透明,不透过可见光和紫外线,可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。之后成为***早应用的导体元素。
中诺新材作为一家技术科技先导型企业,所有员工均受过***技能培训和职业素质教育,***技术人员的比例超过50%,高纯钯靶材 钯靶材 钯棒,研发和技术力量非常雄厚,为公司的长久发展奠定了坚实的良好基础。
我们将不断完善品质体系,打造品牌价值,满足客户的需求,同客户建立长久的伙伴关系,并致力于成为国内的优质企业和国际上有影响力的薄膜材料生产商。
中诺新材可根据您的需求,为您定制不同化合物,不同比例的掺杂靶材。通过球磨制粉,实验室专用高纯钯靶材 钯块,共沉积制粉,真空热压烧结,常压烧结等工艺,可保证靶材掺杂比例准确,掺杂相单一,致密度高。
部分定制靶材如下:
氧化铟锡 ITOIn2O3:SnO2=90:10 wt%
氧化锌铝 AZOZnO:Al2O3=98:2 wt%
铜铟硒 CIGSCu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%
氧化锌掺杂氧化镁等
氧化铟锌 IGZOIn:Ga:Zn=2:2:1 at%
钛锆酸铅 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3
锗锑碲 GSTGe:Sb:Te=2:2:5 at%
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